可測(cè)試性設(shè)計(jì)（DFT）在
集成電路設(shè)計(jì)中至關(guān)重要，它能夠提高芯片測(cè)試的效率、降低測(cè)試成本并確保芯片的質(zhì)量。以下是一些常見(jiàn)的 DFT 方法：
掃描鏈設(shè)計(jì)：掃描鏈?zhǔn)?DFT 中最基本的技術(shù)之一。在設(shè)計(jì)過(guò)程中，將芯片中的所有觸發(fā)器（或部分關(guān)鍵觸發(fā)器）連接成一個(gè)或多個(gè)移位寄存器鏈。在測(cè)試模式下，可以通過(guò)輸入端口將測(cè)試向量串行地移入掃描鏈中的觸發(fā)器，然后在一個(gè)或多個(gè)時(shí)鐘周期后，將觸發(fā)器的狀態(tài)串行移出并進(jìn)行檢查，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片內(nèi)部組合邏輯和時(shí)序邏輯的測(cè)試。例如，在一個(gè)復(fù)雜的數(shù)字電路中，通過(guò)合理地插入掃描鏈，可以方便地對(duì)各個(gè)模塊的邏輯功能進(jìn)行測(cè)試，檢測(cè)是否存在固定型故障（如某條信號(hào)線始終為高電平或低電平）等問(wèn)題。
內(nèi)建自測(cè)試（BIST）：BIST 是在芯片內(nèi)部集成測(cè)試生成電路和響應(yīng)分析電路。測(cè)試生成電路能夠自動(dòng)產(chǎn)生測(cè)試向量，而響應(yīng)分析電路則對(duì)被測(cè)電路的輸出響應(yīng)進(jìn)行分析并判斷是否正確。例如，對(duì)于一個(gè)存儲(chǔ)單元陣列（如 SRAM 或 DRAM），可以采用 BIST 技術(shù)，利用內(nèi)置的地址生成器產(chǎn)生各種讀寫(xiě)地址序列作為測(cè)試向量，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀寫(xiě)測(cè)試，并通過(guò)比較器檢查讀出的數(shù)據(jù)是否與寫(xiě)入的數(shù)據(jù)一致，無(wú)需外部測(cè)試設(shè)備提供復(fù)雜的測(cè)試向量，提高了測(cè)試的自主性和效率。
邊界掃描測(cè)試（JTAG）：JTAG 是一種廣泛應(yīng)用的邊界掃描標(biāo)準(zhǔn)，它在芯片的輸入輸出引腳周?chē)砑舆吔鐠呙鑶卧˙SC），這些單元通過(guò)一個(gè)專(zhuān)門(mén)的測(cè)試訪問(wèn)端口（TAP）連接成一個(gè)掃描鏈。通過(guò) JTAG 接口，可以對(duì)芯片的引腳連接、芯片間的互連以及芯片內(nèi)部靠近邊界的邏輯進(jìn)行測(cè)試。例如，在一個(gè)多芯片組成的電路板上，可以利用 JTAG 技術(shù)對(duì)各個(gè)芯片之間的連接線路進(jìn)行開(kāi)路、短路等故障檢測(cè)，同時(shí)也可以對(duì)芯片的輸入輸出功能進(jìn)行測(cè)試，方便了電路板級(jí)的測(cè)試和調(diào)試。
邏輯內(nèi)建自修復(fù)（LBIST）：LBIST 主要針對(duì)芯片中的隨機(jī)邏輯故障。它在芯片內(nèi)部生成偽隨機(jī)測(cè)試向量，并利用糾錯(cuò)碼（ECC）等技術(shù)對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析和修復(fù)。例如，在一些對(duì)可靠性要求較高的芯片（如航天航空領(lǐng)域的芯片）中，LBIST 可以在芯片運(yùn)行過(guò)程中定期進(jìn)行自測(cè)試，一旦發(fā)現(xiàn)故障，能夠嘗試進(jìn)行自我修復(fù)，提高芯片的可靠性和可用性。
測(cè)試點(diǎn)插入：在芯片設(shè)計(jì)中，有選擇地插入一些額外的測(cè)試點(diǎn)，這些測(cè)試點(diǎn)可以是信號(hào)的觀測(cè)點(diǎn)或控制節(jié)點(diǎn)。通過(guò)這些測(cè)試點(diǎn)，可以更方便地對(duì)芯片內(nèi)部難以直接測(cè)試的信號(hào)進(jìn)行監(jiān)測(cè)和控制，提高測(cè)試的覆蓋率。例如，在一個(gè)復(fù)雜的時(shí)序電路中，對(duì)于一些關(guān)鍵的中間信號(hào)，插入測(cè)試點(diǎn)后，可以在測(cè)試時(shí)直接獲取其狀態(tài)，有助于分析電路的時(shí)序行為和故障定位。
在進(jìn)行 DFT 設(shè)計(jì)時(shí)，需要在集成電路設(shè)計(jì)的早期階段就開(kāi)始規(guī)劃，與前端設(shè)計(jì)和后端設(shè)計(jì)緊密結(jié)合。在設(shè)計(jì)過(guò)程中，要根據(jù)芯片的功能、規(guī)模、應(yīng)用場(chǎng)景以及測(cè)試要求等因素，合理選擇和應(yīng)用上述 DFT 技術(shù)，并且要對(duì) DFT 結(jié)構(gòu)進(jìn)行充分的驗(yàn)證，確保其不會(huì)對(duì)芯片的正常功能和性能產(chǎn)生負(fù)面影響，最終實(shí)現(xiàn)提高芯片可測(cè)試性和測(cè)試效率的目標(biāo)。
